Неділя, 28.04.2024, 18:03
Форма входу
Меню сайту
Категорії розділу
Фізика 9 клас [103]
Фізика 10 клас [105]
Фізика 11 клас [69]
Астрономія [79]
Коледж [29]
Документація на кабінет [7]
Розробки уроків [1]
Позакласна робота [18]
Роботи учнів [1]
Корисні посилання [6]
Різне [25]
Фото [9]
Методика [4]
Пошук
Друзі сайту




























Годинник
Статистика

Онлайн всього: 1
Гостей: 1
Користувачів: 0
Нашому сайту

Каталог статей

Головна » Вчитель » Фізика 11 клас

Урок 17н. Власна і домішкова провідність напівпровідників

1. Речовини, які мають низьку провідність порівняно з провідниками і більшу провідність, ніж у діелектриків називають напівпровідниками.
2. Напівпровідники - це речовини, в яких кількість вільних носіїв заряду дуже залежить від температури (термістори). При низьких температурах напівпровідники є діелектриками, однак уже при кімнатній температурі напівпровідники проводять струм.
3. Питомий опір напівпровідників на декілька порядків більший, ніж у металів, і швидко зменшується зі збільшенням температури, так як збільшується кількість вільних носіїв заряду.
4. Чистим напівпровідникам властива власна провідність. Носіями заряду є електрони та дірки (відсутність електрона).
5. На провідність напівпровідників суттєво впливають домішки.
6. Якщо у 4-валентний кремній додати 5-валентний миш'як, то утворюється домішкова провідність п-типу, яким властива електронна провідність. Такі домішки називають донорними. Основними носіями є електрони, а неосновними - дірки.
7. Якщо у 4-валентний кремній додати 3-валентний індій, то утворюється домішкова провідність р-типу, яким властива діркова провідність. Такі домішки називають акцепторними. Основними носіями є дірки, а неосновними - електрони.
8. На провідність напівпровідників впливає потік світла, що падає на нього (фотоелементи і фотодіоди).
9. Р-п-перехід - це контакт між напівпровідниками р та п типу. У результаті зустрічної дифузії електронів та дірок поблизу р-п-переходу утворюється запираючий електричний шар, поле якого припиняє подальший перехід електронів у р-область і дірок у п-область.
10. Якщо зовнішнє електричне поле направлене від р до п то ширина запираючого шару зменшується, запираючий шар звужується і через р-п-перехід іде струм (пряме включення).
11. Якщо зовнішнє електричне поле направлене від п до р то запираючий шар розширюється, його опір збільшується і струм через р-п-перехід не йде струм (зворотне включення).
12. Отже р-п-перехід має односторонню провідність і широко застосовується у напівпровідникових приладах.
13. Напівпровідниковий діод - прилад, що містить один р-п-перехід і має односторонню провідність.
14. Напівпровідниковий прилад, що містить р-п-р або п-р-п переходи називається транзистор. Він дозволяє підсилити електричні сигнали (підсилювач) та регулювати великі струми за допомогою малих (електронний ключ).

1. До напівпровідників належать 12 хімічних елементів та багато хімічних сполук, в яких концентрація вільних носіїв струму дуже залежить від наявності добавок інших речовин та зовнішніх дій.

2. Опір напівпровідників залежить від температури, освітленості. З підвищенням температури опір напівпровідників зменшується, а кількість вільних електронів та дірок збільшується.

3. На електропровідність напівпровідників впливає електричне і магнітне поле, рентгенівські промені, радіоактивне випромінювання і механічні навантаження.

4. Розрізняють два види провідності напівпровідників: електронну і діркову.

Стибій - напівметал, З хімічної точки зору близький до металів, але погано проводить ел струм, Входив до складу фарб для очей. № 51.

Категорія: Фізика 11 клас | Додав: Yanok2524 (05.11.2020)
Переглядів: 219 | Рейтинг: 0.0/0
Всього коментарів: 0
Ім`я *:
Email *:
Код *: